SK海力士周四表示，已开始供应采用高介电常数环氧塑封料（High-K EMC）的移动DRAM产品，这是业界首次通过该技术解决搭载设备端AI的智能手机过热问题。
这家存储芯片巨头表示，作为首家开发高介电常数EMC材料的公司，该技术能有效解决设备端AI应用因高速数据传输导致的发热与性能下降问题。
该公司称，新款移动DRAM产品的导热率提升了3.5倍，热量垂直传导路径的热阻改善了47%。
虽然旗舰智能手机会采用堆叠封装（PoP）结构——将DRAM堆叠在应用处理器上——以高效利用有限空间并提升数据传输速度，但芯片内部产生的热量可能导致设备性能下降。
SK海力士表示，这项新技术通过提升智能手机性能并降低功耗，有望延长电池续航时间和产品使用寿命。
"这项突破超越了单纯的性能提升，解决了许多高性能智能手机用户可能遇到的使用痛点，具有重大意义，"SK海力士封装产品开发负责人李圭济表示，"我们将通过材料技术创新，全力巩固在下一代移动DRAM市场的技术领导地位。"
该公司称"通过提升EMC（覆盖DRAM封装的关键材料）的导热性找到了解决方案，在现行EMC材料采用的二氧化硅基础上添加氧化铝，最终开发出高介电常数EMC材料。"
SK海力士表示："全球智能手机厂商对该产品的推出表示欢迎，期待其有助于解决高性能旗舰机的发热问题。"
