【编者按】在全球人工智能浪潮的席卷下，芯片巨头间的技术竞赛已进入白热化阶段。近日，SK海力士披露的研发投入数据引发行业震动——这家韩国存储巨头正以前所未有的力度押注下一代AI内存技术，单年研发支出逼近7万亿韩元，创下历史新高。这不仅是企业层面的战略豪赌，更是全球AI基础设施军备竞赛的缩影。随着三星、美光等对手纷纷加码，HBM（高带宽内存）市场的争夺战已从产能扩张升级为底层技术对决。而在这场决定未来AI算力格局的较量中，谁能掌控内存技术的制高点，谁就可能握住智能时代的命脉。以下为详细报道：
SK海力士去年研发支出创历史新高，逼近7万亿韩元（约46.6亿美元）大关，这家公司正加速投资下一代人工智能内存技术。
根据周日通过金融监督院电子披露系统公布的审计报告，SK海力士2025年研发总投入达6.73万亿韩元。
这一数字较上年同期的4.95万亿韩元激增35.9%，刷新了公司历史纪录。
研发投资在年末明显提速。这家芯片制造商上半年投入3.05万亿韩元后，仅下半年就追加近3.7万亿韩元，凸显其捍卫高端内存技术领导地位的决心。
如此激进的投入正值公司搭乘全球AI爆发红利——SK海力士去年营业利润突破47万亿韩元，创下韩国企业史上最高盈利纪录。
市场预期持续看涨。有行业观察家预测，若AI驱动的内存需求保持暴涨态势，该公司今年营业利润有望冲击200万亿韩元。
研发投入飙升背后，是SK海力士强化HBM（高带宽内存）市场地位的战略布局，该组件正是AI加速器的核心部件。
目前该公司是AI加速器霸主英伟达的最大HBM供应商。但随着第六代HBM4市场即将爆发，竞争对手正全力追赶，战火预计全面升级。
三星电子去年研发投资亦创下37.7万亿韩元纪录，昭示其争夺下一代AI内存技术主导权的野心。
上月三星更宣布全球首发HBM4量产出货，被视作重塑新兴市场格局的关键落子。
与此同时，SK海力士预计将很快完成与英伟达的HBM4优化工作。公司计划今年拿下英伟达约三分之二的HBM4供应份额。
除HBM开发外，SK海力士还将持续攻坚DRAM工艺微缩与堆叠技术，以巩固技术护城河。
新一代HBM技术复杂度陡增，内存制造商需深度参与逻辑工艺与先进封装集成。
为应对挑战，SK海力士正研发全新封装技术，并积极探索与晶圆代工伙伴的创新合作模式。
在最近的公司内部会议上，SK海力士CEO郭鲁正强调，即便业绩亮眼也需保持警惕：“要成为世界顶级企业，必须向最优秀者学习。我们应常怀危机意识，聚焦核心竞争力，在为成就自豪的同时绝不松懈自满。”
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