三星电子周二表示，它已经开发出了HBM3E 12H，这是业界首款12层HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品，在新兴的人工智能芯片市场上比其竞争对手更进一步。
三星电子表示，已开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并计划于今年上半年量产。
三星电子内存产品规划常务副社长裴勇哲表示，“业界对容量更高的HBM的要求越来越高，HBM3E 12H是为了满足这一需求而设计的。”
他说:“这一新的内存解决方案是我们开发高堆栈HBM核心技术的一部分，并为人工智能时代的高容量HBM市场提供技术领先地位。”
High Bandwidth Memory是一种低功耗、超宽通信通道的存储芯片，采用垂直堆叠的存储芯片，突破了传统存储芯片的处理瓶颈。
三星电子表示:“考虑到人工智能市场的指数级增长，先进的高容量存储芯片将成为未来需要更多内存的系统的最佳解决方案。”
当用于人工智能应用时，据估计，与采用hbm38h相比，人工智能训练的平均速度可以提高34%，而推理服务的同时用户数量可以扩大11.5倍以上。
三星表示:“其更高的性能和容量将使客户能够更灵活地管理资源，并降低数据中心的总拥有成本。”
三星表示，HBM3E 12H提供了高达每秒1280千兆字节(GB/s)的历史高带宽和业界领先的36gb容量。与8层HBM3 8H相比，两方面都提高了50%以上。
HBM3E 12H采用先进的热压缩不导电膜(TC NCF)，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前HBM封装要求。
三星解释说，随着业界寻求减轻芯片芯片翘曲带来的更薄的芯片，这项技术预计会有额外的好处，特别是对于更高的堆栈。
三星表示，通过不断努力降低NCF材料的厚度，该公司实现了业界最小的芯片间距(7微米)，并消除了层与层之间的空隙。芯片制造商补充说，与hbm38h相比，这使得垂直密度提高了20%以上。
全球芯片制造商竞相在HBM市场占据上风，在越来越多地使用生成人工智能的情况下，需求迅速增加。
美国芯片制造商美光科技(Micron Technology)宣布，已开始大规模生产HBM3E，领先于竞争对手三星(Samsung)和SK海力士(SK hynix)。该公司表示，美光的最新芯片容量为24gb，将成为英伟达H200 Tensor Core gpu的一部分。
HBM市场去年仅占整个内存芯片市场的1%左右，预计今年将增长一倍以上。
三星电子和SK海力士在新芯片市场上展开了45%左右的激烈竞争。美光在榜单上排名第三，提供了大约10%的订单。
