【编者按】在全球人工智能浪潮席卷之下，半导体产业链的竞争已进入白热化阶段。近日，韩国存储巨头SK海力士迈出关键一步——在美国启动首座半导体工厂建设，直指AI内存先进封装产能的扩张。这不仅是一次产能的跨境布局，更是全球供应链重塑的重要落子。随着HBM等高性能内存需求爆发，封装技术已成为决定AI芯片性能的核心战场。SK海力士在中美两地同步加码投资，既彰显其抢占技术制高点的野心，也折射出全球半导体产业“本地化”与“协同化”并行的新常态。然而，尖端资源短缺的阴影仍在蔓延，这场关乎未来算力的军备竞赛，注定是一场持久而激烈的较量。
SK海力士已在美国启动其首座半导体工厂的建设，这是扩大人工智能内存先进封装产能、强化全球供应链的关键一步。
据《韩国经济新闻》周二报道，该公司近日在印第安纳州基地开始打桩工程，标志着专注于AI的先进封装工厂正式进入地基建设阶段。地面基础工程预计将持续数月，地上部分建设有望于今年下半年展开。
该项目遵循SK海力士2024年宣布的投资计划，将在占地56公顷的厂区投入38.7亿美元。工厂计划于2028年下半年实现量产，重点生产HBM4E、HBM5等下一代高带宽内存产品。
印第安纳工厂是SK海力士全球AI内存生态战略的重要一环，旨在连接其在韩国京畿道龙仁、利川及忠清北道清州的国内基地与美国市场。其选址靠近普渡大学，也有望促进与当地科研机构的协作。
先进封装技术已成为AI时代的关键核心，直接影响垂直堆叠式HBM芯片的性能与良率。
SK海力士同时正在加速本土投资。其在清州建设的19万亿韩元（约129亿美元）先进封装设施预计2027年完工，并正扩大M15X工厂的DRAM产能——该工厂已于今年3月提前启用第二间无尘室。
公司计划在关键产线部署约20台ASML极紫外光刻系统，以支持下一代DRAM制程研发。
尽管多方布局，供应紧张局势预计仍将持续。SK集团会长崔泰源近期警示，关键资源的短缺可能制约内存产能至2030年。
与此同时，SK海力士正迈向又一个创纪录季度，分析师预测其营业利润可能高达40万亿韩元。
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